単結晶炉用シリコンロッドの原料は何ですか

単結晶炉用シリコンロッドの原料は何ですか

原料は高純度ポリシリコンです。 ポリシリコンはチョクラルスキー単結晶炉で溶解され、種結晶とともに単結晶ロッドが引き抜かれます。

現在、最新の技術では、インゴット炉を使用して単結晶シリコンを製造し、大型の単結晶シリコンも得ています。

単結晶シリコン棒は単結晶炉内でどのように成長するのでしょうか?

まず、高純度ポリシリコン原料を高純度石英るつぼに入れ、グラファイトヒーターで発生する高温で溶かします。 シリコン融液を少し冷却してある程度の過冷却を起こし、別のシリコン融液を使用します。種結晶軸に固定されたシリコン単結晶（種結晶といいます）を融液の液面に挿入します。 種結晶が融液で溶けた後、種結晶をゆっくりと上に引き上げると、種結晶の下端で結晶が成長します。 次に、種結晶を制御します。 長さ100mの単結晶シリコン育成炉で育成

最後に、シリコン溶液の大部分が結晶化すると、結晶は徐々に縮小されて尾の形の円錐を形成します。これは仕上げプロセスと呼ばれます。 このようにして、単結晶引上げ工程は基本的に完了する。 ある程度の保温・冷却が完了したら取り出すことができます。 チョクラルスキー法は、J.チョクラルスキー法とも呼ばれます。 この方法は、1917年にチェクラウスキーによって確立された結晶育成法です。チョクラルスキー法による単結晶育成装置とプロセスは比較的シンプルで、自動制御が実現しやすく、生産効率が高く、大口径の単結晶を作製することが容易です。 単結晶中の不純物濃度の制御が容易であり、低抵抗率の単結晶を作製することができる。 統計によれば、世界のシリコン単結晶生産量の70～80％はチョクラルスキー法で生産されています。

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