真空銀メッキマグネトロンターゲットのスパッタ蒸着時の動作電圧は低くなります。

真空銀メッキマグネトロンターゲットのスパッタ蒸着時の動作電圧は低くなります。

The increase of the ionization probability of the working gas and the improvement of the ionization rate of the target material reduce the internal resistance during the discharge of the vacuum gas, so the working voltage of the magnetron target during sputtering deposition is low (mostly between 4-600V), and there are The working voltage is slightly higher (such as >700V）、一部の動作電圧はそれより低くなります（約 300V など）。

基板上に銀を真空蒸着して膜を形成します

スパッタ粒子は一定の役割を果たし、基板に向かって一定方向に飛び、最終的に基板上に堆積して膜を形成します。 何度も衝突した後、電子のエネルギーは徐々に減少し、力線の束縛から解放され、最終的には基板、真空チャンバーの内壁、ターゲット電源のアノードに落下します。

真空銀メッキのターゲット表面の磁場は荷電粒子を抑制する効果があります

ターゲット表面の磁場は、荷電粒子に制約効果をもたらします。 電磁場による電子の拘束と加速により、電子は基板とアノードに到達する前に経路を移動し、局所 AR ガスの衝突イオン化確率が大幅に増加します。 電界の作用下で、イオンArプラスは陰極としてのターゲットへの衝突を加速し、分子、原子、イオンなどの電子をターゲット表面にスパッタリングし、ターゲットのスパッタリング剥離率を向上させます。

真空銀メッキ操作モードでの 2 段階スパッタリング

マグネトロン スパッタリングは、2 段階スパッタリングの動作モードです。 これは、2 段階および 4 段階のスパッタリングとは主に異なります。 1 つは、永久磁石または電磁石がスパッタリング カソード ターゲットの後ろに設置されることです。 ターゲット表面には水平成分の磁場、または垂直成分の磁場が発生し、ガス放電によって生成された電子はターゲット表面付近のプラズマ領域内の特定の軌道を走行することになります。 滑走路は円を描くように回転します。

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