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電気メッキ電気加熱管の漏れインダクタンスと救済回路

電気メッキ電気加熱管の漏れインダクタンスと救済回路

ラグアームにドナー回路を追加すると、ラギングアームのスイッチチューブのソフトスイッチング環境が改善されます。 基本設計は、ドナー共振回路を遅相アームに並列に接続し、共振回路内のインダクタンスを支配して漏れインダクタンスを節約し、遅相アームのスイッチング管のゼロ電圧スイッチングを実現することです。 、アイドル負荷と出力電圧の分野でゼロ電圧スイッチングを実現し、デューティサイクルの損失を大幅に削減できます。 LC回路を追加し、漏れインダクタンスのインダクタンス電流と慈善回路により並列コンデンサを同時に充放電することで、より広い負荷領域での遅相ブリッジアームのZVSを実現します。

電気めっき電熱管の飽和インダクタンス

 

位相シフト ZVS スイッチの線形共振インダクタを可飽和インダクタに変更します。 飽和インダクタの特性は次のとおりです。飽和すると、インダクタンスが大きくなります。 飽和形状に入ると、インダクタンスが小さいことを示します。 ただし、この回路の欠点は、飽和インダクタンスが高周波で正と負の飽和値の間で切り替わり、コアの磨耗が大きくなり、温度が高くなるということです。

電熱管の電気メッキによりラギングブリッジアームのZVSを実現し、二次側デューティサイクルのロスを低減

ZVS PWM DC-DC 移相フルブリッジ スイッチは、スイッチのラグ アーム、特に軽負荷時のラグ アーム スイッチ チューブでは ZVS を達成することが難しいため、広い領域で負荷が変化する場合に適しています。 ヒステリシスアームのZVSをより複雑にするためには、一次電流を増加する必要があります。 一次電流の増加は、励磁電流(主変圧器とエアギャップを加えて励磁インダクタンスを減らす)を増やすか、漏れインダクタンス(または外部共振インダクタンス)を増やすことによって達成されます。 ただし、上記のアーサナスーツを使用すると、デューティサイクルの損失が増加します。 デューティ サイクルの損失と ZVS のソフト スイッチング条件の間には矛盾があるため、共振インダクタンス Lr のサイズを妥協する必要があります。

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