真空成膜機の活性反応方式

真空成膜機の活性反応方式

 

電子ビーム 二次電子 dc: 200v 反応性ガス o2、n2、ch4、c2h4 など 金属と反応性ガスの組み合わせにより、さまざまな注入フィルム層を作成できます 電子、装飾、耐摩耗性およびその他のめっき部品

真空コーター 集束イオンビーム法

 

抵抗 凝縮イオンビーム dc:0v-5kv 不活性ガス イオンバンチングによりフィルム層の結合力が強い 電子部品

真空コーターマルチカソード方式

 

抵抗、電子ビーム、熱電子直流: 0v-5kv、不活性ガスまたは反応性ガス、良好な低速電子イオン化効果、装飾、電子、精密機械、その他の部品

真空成膜機 電界蒸着法

 

電子ビーム 二次電子 dc: 1kv-5kv 真空 不純ガスが少なく、良好な膜が形成可能 電子部品

真空成膜機の周波数変調励振方式

 

抵抗、電子ビーム RF 電界 13.56mhzdc: 0.1kv-5kv 不活性ガスまたは反応性ガス 高いイオン化率、強力な膜結合力、めっき部品の温度上昇は低いが分散が悪い 光学、半導体その他メッキパーツなど

真空成膜装置 ホローカソード方式

 

ホローカソード プラズマ電子ビーム dc: 0v-200v 不活性ガスまたは反応性ガス 高イオン化率、高蒸発率、高純度のフィルム層が容易に得られる 装飾、耐摩耗性などのメッキ部品

真空塗装機のアーク放電方式

 

電子線、フィラメント アーク放電 dc:100v 高真空 1.33x10-4pa イオン化率が高く、反応膜を形成しやすいため、高真空下でも膜を形成でき、切削工具、金属の品質向上に貢献装飾やその他のメッキパーツ

 

真空成膜機の直流放電方式

 

抵抗グロー放電 dc:{{0}}.1kv ～ 5kv 不活性ガス 1pa、0.25ma/cm2 シンプルな構造で皮膜密着力は強いが、めっき部分の温度が上昇し、分散が悪い！ 耐熱・潤滑・その他メッキ部品

真空成膜装置イオンプレーティングの種類と特徴

 

イオンプレーティングは、真空蒸着とスパッタリングの2つの技術を組み合わせて開発された成膜技術です。 真空条件下で、コーティング材料を適切な方法で蒸発させ、作動ガスおよび蒸発した材料の一部をガス放電によりイオン化します。 ガスイオンおよび蒸発材料イオンの衝突下で、蒸発材料またはその反応生成物が基板上に堆積されて膜となる。 イオンプレーティングの基本プロセスには、コーティング材料の蒸着、イオン化、イオン加速、およびイオン衝撃が含まれ、ワークピースの表面に膜を形成します。 コーティング材料の蒸着法やガスイオン化法の違いにより、さまざまなタイプのイオンプレーティングが形成されます。 次の表に、いくつかの主なイオン プレーティングを示します。 イオンプレーティングには、コーティングと基板間の良好な密着性、良好な回折性能、幅広いめっき材料、および速い蒸着速度という利点があります。

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